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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:41 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:19 ns
功率耗散:1.25 W
下降時間:19 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TSMT-6
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.4 Ohms
漏極連續電流:4.5 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ROHM Semiconductor
以上是RSQ045N03TR的詳細信息,包括RSQ045N03TR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!