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中文參數如下：
典型關閉延遲時間：410 ns
上升時間：95 ns
功率耗散：1.25 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：220 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSST-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Hex Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：26 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流：5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 10 V
汲極/源極擊穿電壓：- 12 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor
以上是RT1A050ZPTR的詳細信息，包括RT1A050ZPTR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
