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中文參數(shù)如下:
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:190 毫歐 @ 2A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss):45V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:2A
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs:2.3nC @ 4.5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) :150pF @ 10V
功率 - 最大:1.25W
安裝類型:表面貼裝
以上是RTQ020N05TR的詳細(xì)信息,包括RTQ020N05TR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!