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中文參數(shù)如下:
典型關(guān)閉延遲時間:35 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
上升時間:6 ns
功率耗散:0.2 W
下降時間:6 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:UMT-3
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):2 Ohms
漏極連續(xù)電流:+/- 0.25 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:- 20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:ROHM Semiconductor
以上是RTU002P02T106的詳細信息,包括RTU002P02T106廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!