RUE002N05TL

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: EMT3
數(shù)量：: 3663
說明：: MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3

一、本商品被瀏覽0次.

RUE002N05TL PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：150mW（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：25 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±8V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：2.2 歐姆 @ 200mA，4.5V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：200mA（Ta）
漏源電壓（Vdss）：50 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Rohm Semiconductor

以上是RUE002N05TL的詳細(xì)信息，包括RUE002N05TL廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：