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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:420 ns
上升時間:100 ns
功率耗散:1.25 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:35 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :8 S
下降時間:225 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TSMT-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):19 mOhms
漏極連續電流:- 5 A
閘/源擊穿電壓:10 V
汲極/源極擊穿電壓:- 12 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ROHM Semiconductor
以上是RZQ050P01TR的詳細信息,包括RZQ050P01TR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!