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SCT2120AFC

廠家：
  Rohm Semiconductor
封裝：
 TO-220AB
數量：
 1377  
說明：
 SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
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SCT2120AFC PDF參數資料

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中文參數如下：
：175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：165W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1200 pF @ 500 V
Vgs（最大值）：+22V，-6V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：61 nC @ 18 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 3.3mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：156 毫歐 @ 10A，18V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：29A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：650 V
技術：SiCFET（碳化硅）
FET 類型：N 通道
產品狀態：停產
包裝：-
系列：管件
品牌：Rohm Semiconductor

以上是SCT2120AFC的詳細信息，包括SCT2120AFC廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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