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中文參數如下:
:175°C(TJ)
功率耗散(最大值):165W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1200 pF @ 800 V
Vgs(最大值):+22V,-6V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):62 nC @ 18 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):208 毫歐 @ 7A,18V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):22A(Tc)
漏源電壓(Vdss):1200 V
技術:SiCFET(碳化硅)
FET 類型:N 通道
產品狀態:停產
包裝:-
系列:管件
品牌:Rohm Semiconductor
以上是SCT2160KEC的詳細信息,包括SCT2160KEC廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!