SCT2280KEGC11

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TO-247N
數(shù)量：: 8928
說明：: 1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE

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SCT2280KEGC11 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：175°C
功率耗散（最大值）：108W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：667 pF @ 800 V
Vgs（最大值）：+22V，-6V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：36 nC @ 18 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1.4mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：364 毫歐 @ 4A，18V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：14A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1200 V
技術：SiCFET（碳化硅）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Rohm Semiconductor

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