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SCT3017ALGC11

廠家:
  Rohm Semiconductor
封裝:
 TO-247N
數量:
 1260  
說明:
 650V, 118A, THD, TRENCH-STRUCTUR
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SCT3017ALGC11-TO-247N圖片

SCT3017ALGC11 PDF參數資料

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中文參數如下:
:175°C(TJ)
功率耗散(最大值):427W
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2884 pF @ 500 V
Vgs(最大值):+22V,-4V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):172 nC @ 18 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5.6V @ 23.5mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):22.1 毫歐 @ 47A,18V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):118A(Tc)
漏源電壓(Vdss):650 V
技術:SiCFET(碳化硅)
FET 類型:N 通道
產品狀態:在售
包裝:-
系列:管件
品牌:Rohm Semiconductor

以上是SCT3017ALGC11的詳細信息,包括SCT3017ALGC11廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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