SCT30N120D2

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: HiP247?
數量：: 4905
說明：: SICFET N-CH 1200V 40A HIP247

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SCT30N120D2 PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 200°C（TJ）
功率耗散（最大值）：270W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1700 pF @ 400 V
Vgs（最大值）：+25V，-10V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：105 nC @ 20 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：100 毫歐 @ 20A，20V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：40A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1200 V
技術：SiCFET（碳化硅）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：-
系列：托盤
品牌：STMicroelectronics

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