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SCTW40N120G2V

廠家：
  STMicroelectronics
封裝：
 HiP247?
數量：
 774  
說明：
 SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
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SCTW40N120G2V PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 200°C（TJ）
功率耗散（最大值）：278W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1233 pF @ 800 V
Vgs（最大值）：+22V，-10V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：61 nC @ 18 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：100 歐姆 @ 20A，18V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：36A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1200 V
技術：SiCFET（碳化硅）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：STMicroelectronics

以上是SCTW40N120G2V的詳細信息，包括SCTW40N120G2V廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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