SH8JC5TB1

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 8-SOP
數(shù)量：: 13589
說明：: -60V DUAL PCH+PCH, SOP8, POWER M

一、本商品被瀏覽0次.

SH8JC5TB1 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
：
封裝封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：1.4W（Ta）
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2630pF @ 30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：50nC @ 10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：32 毫歐 @ 7.5A，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：7.5A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：60V
FET 功能：-
配置：2 個 P 溝道（雙）
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

以上是SH8JC5TB1的詳細信息，包括SH8JC5TB1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：