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SH8M11TB1

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 8-SOP
數(shù)量：: 828
說(shuō)明：: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP

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SH8M11TB1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：
封裝封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：2W
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：85pF @ 10V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：1.9nC @ 5V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：98 毫歐 @ 3.5A，10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：3.5A
漏源電壓（Vdss）：30V
FET 功能：邏輯電平門
配置：N 和 P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Rohm Semiconductor

以上是SH8M11TB1的詳細(xì)信息，包括SH8M11TB1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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