SH8M13GZETB

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 8-SOP
數(shù)量：: 882
說明：: MIDDLE POWER MOSFET SERIES (DUAL

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SH8M13GZETB PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：
封裝封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：2W
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1200pF @ 10V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：18nC @ 5V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：29 毫歐 @ 7A，10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：6A，7A
漏源電壓（Vdss）：30V
FET 功能：-
配置：N 和 P 溝道
技術(shù)：-
產(chǎn)品狀態(tài)：不適用于新設(shè)計(jì)
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

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