點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
：
封裝封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：1.4W（Ta）
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：610pF @ 25V，1550pF @ 25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：8.5nC @ 5V，12.5nC @ 5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：170 毫歐 @ 3A，10V，290 毫歐 @ 2.5A，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：3A（Ta），2.5A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：100V
FET 功能：-
配置：N 和 P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
產(chǎn)品狀態(tài)：不適用于新設(shè)計
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor
以上是SH8M51GZETB的詳細(xì)信息，包括SH8M51GZETB廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!
