三浦惠理子jux240久久 - 他在车里撞了我八次主角是谁

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SI1301DL-T1

SI1301DL-T1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SOT-323-3
數(shù)量：: 9
說明：: MOSFET Use 781-SI1303DL

一、本商品被瀏覽0次.

SI1301DL-T1 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：19 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：25 ns
功率耗散：150 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：25 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-323-3
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：2.6 Ohms
漏極連續(xù)電流：0.18 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

以上是SI1301DL-T1的詳細(xì)信息，包括SI1301DL-T1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：