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中文參數(shù)如下:
功率耗散:300 mW
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-363-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):1.9 Ohms, 0.99 Ohms
漏極連續(xù)電流:0.3 A, 0.44 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:+/- 20 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SI1551DL-T1-GE3的詳細信息,包括SI1551DL-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!