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SI3460DDV-T1-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
數(shù)量：
 8973  
說明：
 MOSFET 20V 7.9A N-CH MOSFET
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SI3460DDV-T1-GE3-SOT-23-6 細型，TSOT-23-6圖片

SI3460DDV-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI3460DDV-GE3
功率耗散：2.7 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：12 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：35 S
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOP-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.023 Ohms
漏極連續(xù)電流：7.9 A
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI3460DDV-T1-GE3的詳細信息，包括SI3460DDV-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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