SI3473CDV-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
數(shù)量：: 3321
說明：: MOSFET 12V 8.0A 4.2W 22mohm @ 4.5V

一、本商品被瀏覽0次.

SI3473CDV-T1-E3 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI3473CDV-E3
典型關(guān)閉延遲時間：60 ns, 62 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：55 ns, 15 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：40 ns, 35 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOP-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.022 Ohms
漏極連續(xù)電流：8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：12 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI3473CDV-T1-E3的詳細信息，包括SI3473CDV-T1-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他電源管理 IC產(chǎn)品：

軟開關(guān) PWM 控制器低壓差控制器 - LDO 反饋回路功率控制器功率因數(shù)校正 IC 電壓模式 PWM 控制器

開關(guān)變換器、穩(wěn)壓器與控制器最新產(chǎn)品：