三浦惠理子jux240久久 - 他在车里撞了我八次主角是谁

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SI3552DV-T1-GE3

SI3552DV-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 6-TSOP
數量：: 1341
說明：: MOSFET 30V 2.5/1.8A 1.15W 105/200mohm @ 10V

一、本商品被瀏覽0次.

SI3552DV-T1-GE3 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：SI3552DV-GE3
功率耗散：1.15 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOP-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.105 Ohms, 0.2 Ohms
漏極連續電流：2.5 A, 1.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：+/- 30 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI3552DV-T1-GE3的詳細信息，包括SI3552DV-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：