SI3851DV-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TSOP-6
數(shù)量：: 2277
說明：: MOSFET 30V 1.8A 1.15W 200mohm @ 10V

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SI3851DV-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI3851DV-GE3
功率耗散：830 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOP-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.2 Ohms
漏極連續(xù)電流：1.6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

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