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SI3872DV-T1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TSOP-6
數(shù)量：: 2367
說明：: MOSFET 30/-20V

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SI3872DV-T1 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：3000
功率耗散：1.15 W
柵極電荷 Qg：2.1 nC, 2.7 nC
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOP-6
安裝風格：SMD/SMT
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.085 Ohms, 0.16 Ohms
漏極連續(xù)電流：2.5 A, 1.8 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V, 20 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI3872DV-T1的詳細信息，包括SI3872DV-T1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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