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SI4176DY-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數(shù)量：: 5157
說明：: MOSFET N-CH 30V 12A SO8

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SI4176DY-T1-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：20 毫歐 @ 8.3A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：12A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：15nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：490pF @ 15V
功率 - 最大：5W
安裝類型：表面貼裝

以上是SI4176DY-T1-E3的詳細信息，包括SI4176DY-T1-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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