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SI4200DY-T1-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 8-SOIC
數(shù)量：
 5850  
說明：
 MOSFET 25 Volts 8 Amps 2.8 Watts
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SI4200DY-T1-GE3-8-SOIC圖片

SI4200DY-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI4200DY-GE3
功率耗散：2.8 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.02 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流：8 A
閘/源擊穿電壓：16 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4200DY-T1-GE3的詳細信息，包括SI4200DY-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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