SI4214DDY-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 5445
說(shuō)明：: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A SO8

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SI4214DDY-T1-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型：2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：19.5 毫歐 @ 8A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：8.5A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：22nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：660pF @ 15V
功率 - 最大：3.1W
安裝類(lèi)型：表面貼裝

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