SI4286DY-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 6192
說明：: MOSFET 40 Volts 7 Amps 2.9 Watts

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SI4286DY-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI4286DY-GE3
典型關閉延遲時間：10 ns
上升時間：11 ns
功率耗散：2.9 W
柵極電荷 Qg：6.8 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：27 S
下降時間：7 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8
安裝風格：SMD/SMT
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.027 Ohms
漏極連續(xù)電流：7 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

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