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SI4539DY_Q

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 SOIC-8 Narrow
數量：
 4266  
說明：
 MOSFET SO8 COMP
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SI4539DY_Q-SOIC-8 Narrow圖片

SI4539DY_Q PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：23 ns, 90 ns
上升時間：14 ns, 10 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：7 S, 5 S
下降時間：9 ns, 55 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.053 Ohms
漏極連續電流：7 A, - 5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：+/- 30 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是SI4539DY_Q的詳細信息，包括SI4539DY_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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