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SI4567DY-T1-E3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 8-SOIC
數量：
 2619  
說明：
 MOSFET N-AND P-CH 40V(D-S)
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SI4567DY-T1-E3-8-SOIC圖片

SI4567DY-T1-E3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SI4567DY-E3
典型關閉延遲時間：23 ns, 31 ns at N Channel, 19 ns, 30 ns at P Channel
工廠包裝數量：2500
上升時間：20 ns, 95 ns at N Channel, 16 ns, 93 ns at P Channel
功率耗散：1.85 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：20 ns, 95 ns at N Channel, 16 ns, 93 ns at P Channel
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：60 mOhms, 85 mOhms
漏極連續電流：4.1 A, 3.6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4567DY-T1-E3的詳細信息，包括SI4567DY-T1-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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