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SI4712DY-T1-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 8-SOIC
數量：
 8262  
說明：
 MOSFET 30V 14.6A 5.0W 13mohm @ 10V
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SI4712DY-T1-GE3-8-SOIC圖片

SI4712DY-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SI4712DY-GE3
功率耗散：5 W
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風格：SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.013 Ohms
漏極連續電流：14.6 A
閘/源擊穿電壓：2.5 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4712DY-T1-GE3的詳細信息，包括SI4712DY-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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