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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:21 ns
工廠包裝數量:100
上升時間:10 ns
功率耗散:1.3 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:10 ns
封裝形式:SO-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):22 mOhms
漏極連續電流:6.1 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SI4802DY的詳細信息,包括SI4802DY廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!