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SI4914BDY-T1-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 8-SOIC
數量：
 4095  
說明：
 MOSFET 30V 8.4A/8A DUAL NCH MOSFET w/Shottky
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SI4914BDY-T1-GE3-8-SOIC圖片

SI4914BDY-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SI4914BDY-GE3
功率耗散：1.7 W, 2 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：6.7 nC, 7 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：29 S, 33 S
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：21 mOhms, 20 mOhms
漏極連續電流：6.7 A, 7.4 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI4914BDY-T1-GE3的詳細信息，包括SI4914BDY-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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