SI5402DC-T2

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 1206-8 ChipFET
數(shù)量：: 8100
說明：: MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V

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SI5402DC-T2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：25 ns
商標(biāo)名：TrenchFET
上升時間：10 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：10 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：1206-8 ChipFET
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：35 mOhms
漏極連續(xù)電流：6.7 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

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