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中文參數(shù)如下:
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:56 ns, 43 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
上升時(shí)間:66 ns, 35 ns
功率耗散:1 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:16 nC, 9 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :12 S, 7 S
下降時(shí)間:66 ns, 35 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TSSOP-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual Dual Source
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):80 mOhms, 100 mOhms
漏極連續(xù)電流:+/- 2.8 A, +/- 2.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V, - 12 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:否
制造商:Vishay
以上是SI6552DQ-T1的詳細(xì)信息,包括SI6552DQ-T1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!