
點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:
零件號別名:SI7149DP-GE3
典型關閉延遲時間:230 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:14 ns, 150 ns
功率耗散:6.25 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:72 ns, 110 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SO-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):5.2 mOhms at 10 V
漏極連續電流:42 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:- 20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SI7149DP-T1-GE3的詳細信息,包括SI7149DP-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!