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中文參數如下:
零件號別名:SI7812DN-E3
典型關閉延遲時間:20 ns, 35 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:130 ns, 20 ns
功率耗散:3.8 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:50 ns, 10 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK 1212-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):37 mOhms
漏極連續電流:7.2 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:75 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SI7812DN-T1-E3的詳細信息,包括SI7812DN-T1-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!