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中文參數(shù)如下:
功率耗散:13 W
包裝形式:Reel
封裝形式:6-BUMP
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.033 Ohms
漏極連續(xù)電流:16 A
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SI8406DB-T2-E1的詳細信息,包括SI8406DB-T2-E1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!