
點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:17000 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
上升時(shí)間:3000 ns
功率耗散:1 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:3000 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:Micro Foot-6
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):45 mOhms
漏極連續(xù)電流:3.9 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SI8902EDB-T2-E1的詳細(xì)信息,包括SI8902EDB-T2-E1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!