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SI9803DY

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SOIC-8 Narrow
數(shù)量：: 8118
說明：: MOSFET 25V 5.9A 2.5W

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SI9803DY PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：53 ns
工廠包裝數(shù)量：100
上升時間：30 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：31 ns
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：40 mOhms
漏極連續(xù)電流：5.9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

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