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中文參數(shù)如下:
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:35 ns
工廠包裝數(shù)量:100
上升時(shí)間:13 ns
功率耗散:2 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:9 ns
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):50 mOhms
漏極連續(xù)電流:5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay
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