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中文參數如下:
商標名:TrenchFET Power MOSFET
功率耗散:19 W
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SC-70-6L Single
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):83 mOhms at 10 V
漏極連續電流:11.3 A
閘/源擊穿電壓:3 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SIA416DJ-T1-GE3的詳細信息,包括SIA416DJ-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!