SIB914DK-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SC-75-6L 雙
數量：: 2106
說明：: MOSFET 8.0V 1.5A 3.1W 113mohm @ 4.5V

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中文參數如下：

零件號別名：SIB914DK-GE3
典型關閉延遲時間：22 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：7 ns
功率耗散：1100 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：7 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SC-75-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：113 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流：1.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 5 V
汲極/源極擊穿電壓：8 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

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