SIDC10D120H6X1SA5

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 帶箔切割晶片
數(shù)量：: 3951
說(shuō)明：: DIODE GP 1.2KV 15A WAFER

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SIDC10D120H6X1SA5 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：帶箔切割晶片
封裝/外殼：模具
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時(shí)電容：-
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏：27 μA @ 1200 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
速度：標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)：1.6 V @ 15 A
電流 - 平均整流 (Io)：15A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V
技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài)：Digi-Key 停止提供
包裝：-
系列：散裝
品牌：Infineon Technologies

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