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SIDC14D60F6X1SA2

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 帶箔切割晶片
數(shù)量：: 4014
說(shuō)明：: DIODE GP 600V 45A WAFER

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SIDC14D60F6X1SA2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：帶箔切割晶片
封裝/外殼：模具
安裝類(lèi)型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時(shí)電容：-
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏：27 μA @ 600 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
速度：快速恢復(fù) = 200mA（Io）
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)：1.6 V @ 45 A
電流 - 平均整流 (Io)：45A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V
技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：散裝
品牌：Infineon Technologies

以上是SIDC14D60F6X1SA2的詳細(xì)信息，包括SIDC14D60F6X1SA2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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