SIDC42D120H8X1SA3

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 帶箔切割晶片
數(shù)量：: 8568
說明：: DIODE GP 1.2KV 75A WAFER

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SIDC42D120H8X1SA3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：帶箔切割晶片
封裝/外殼：模具
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容：-
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：27 μA @ 1200 V
反向恢復(fù)時間 (trr)：-
速度：標準恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.97 V @ 50 A
電流 - 平均整流 (Io)：75A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V
技術(shù)：標準
產(chǎn)品狀態(tài)：Digi-Key 停止提供
包裝：-
系列：散裝
品牌：Infineon Technologies

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