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中文參數如下:
零件號別名:SIE808DF-GE3
典型關閉延遲時間:50 ns, 55 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:215 ns, 55 ns
功率耗散:5.2 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:15 ns, 10 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PolarPAK-10
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):1.6 mOhms
漏極連續電流:45 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SIE808DF-T1-GE3的詳細信息,包括SIE808DF-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!