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中文參數如下:
上升時間:9 ns
功率耗散:104 W
柵極電荷 Qg:6 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :1 S
下降時間:13 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:DPAK (TO-252)
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):3.2 Ohms at 10 V
漏極連續電流:3 A
閘/源擊穿電壓:30 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SIHD3N50D-GE3的詳細信息,包括SIHD3N50D-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!