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中文參數(shù)如下:
功率耗散:39 W
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220FP-3
安裝風(fēng)格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):280 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流:18 A
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SIHF18N50D-E3的詳細(xì)信息,包括SIHF18N50D-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!