SIHP12N60E-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-220-3
數量：: 5031
說明：: MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS

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SIHP12N60E-E3 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：35 nS
上升時間：19 nS
功率耗散：147 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：29 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：3.8 S
下降時間：19 nS
封裝形式：TO-220AB-3
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：380 mOhms at 10 V
漏極連續電流：12 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

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