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中文參數如下:
最小工作溫度:- 55 C
封裝形式:IPAK (TO-251)
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):600 mOhms at 10 V
漏極連續電流:7 A
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SIHU7N60E-E3的詳細信息,包括SIHU7N60E-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!